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IBM annonce des progrès sur la mémoire PCM

Technologie : IBM présente la nouvelle évolution de la mémoire PCM, sa dernière invention qui ambitionne de se placer comme une alternative à mi-chemin entre la DRAM et le stockage Flash. Big Blue espère pouvoir envisager d’attaquer ce marché dans les deux ou trois ans.

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PCM pour Phase Changing memory. Derrière ce nom se cache le nouveau cheval de bataille d’IBM en matière de stockage. Depuis plusieurs années, le constructeur travaille à améliorer cette nouvelle technologie de stockage qui promet des performances et une vitesse d’accès supérieures à celles des mémoires flash à un coût inférieur.

Et IBM est fier de ses progrès en la matière : le constructeur annonce être parvenu à développer une mémoire PCM capable de contenir 3 bits par cellule, une densité qui ouvre la voie à de nouvelles applications commerciales et représente un bond en avant par rapport aux premiers modèles de 2011, qui ne disposaient que de 2 bits par cellule.

10 millions de cycles de réécritures 

 

« Atteindre 3 bits par cellule est un important point d’étape, car  à cette densité, le coût de la mémoire PCM sera largement  inférieur à celui de la DRAM et plus proche de celui du Flash » résume Haris Pozidis, chercheur chez IBM.

La mémoire PCM s’appuie sur l’exploitation des propriétés physiques de matériaux connus sous le nom de chalcogenures, notamment utilisés dans le développement de disques blu-ray réinscriptibles. IBM envisage pour l’instant des scénarios hybridant le PCM a d’autres solutions de stockage, notamment la mémoire flash.

La mémoire PCM serait principalement utilisée comme mémoire cache à haute vitesse : les équipes d’IBM évoquent ainsi la possibilité de stocker le système d’exploitation d’un smartphone dans une mémoire PCM afin d’accélérer les performances et de réduire les temps de chargement du téléphone au démarrage.

IBM met également en avant la plus grande durabilité de ce type de stockage, rappelant qu’une puce de stockage flash est capable d’atteindre une durée de vie d’environ 10.000 cycles de réécritures, tandis que la mémoire PCM peut théoriquement en supporter plus de 10 millions.

La mémoire PCM se veut également plus réactive et propose de meilleures performances que la mémoire Flash selon IBM, qui avance que le temps d’accès aux données sur ce type de mémoire est de l’ordre d’une microseconde là où la mémoire Flash plafonne à 70 microsecondes.